Standard

IEC 60749-34:2004 ED1

mar 2004 Revidert

Logg inn eller registrer deg for å legge til som favoritt.
Logg på eller registrer deg for å få varsler når nye versjoner eller tillegg til denne standarden gjøres tilgjengelig.

Merknad: Denne standarden har en ny utgave: IEC 60749-34:2010 ED2

Rettelser og tillegg kjøpes separat.

Språk Engelsk Engelsk/French

Tjenester Lese online (Ingen utskrift) kr 660,00 Trykket og innbundet Plugins.Misc.SDTheme.Product.Variant.ShippingDescription kr 825,00

There are no extended editions available for this standard

Det er ingen tilgjengelige rettelser og tillegg for denne standarden. Eventuelle rettelser og tillegg vil bli lagt til automatisk for abonnenter.

Omfang

Used to determine the resistance of a semiconductor device to thermal and mechanical stresses due to cycling the power dissipation of the internal semiconductor die and internal connectors. This happens when low-voltage operating biases for forward conduction (load currents) are periodically applied and removed causing rapid changes of temperature. The power cycling test is complementary to high temperature operating life.

Dokumentinformasjon

Standard fra IEC
Publisert: 10. mars 2004
Tilbaketrukket: 28. oktober 2010
Utgave: 1
Versjon: 1
Varetype: IS
Products.Specs.pages
ISBN: 2831874246

ICS 31.080.01
ISO TC TC 47

Produktrelasjon

Revidert innen: IEC 60749-34:2010 ED2
Erstatter: IEC PAS 62206:2000 ED1

IEC 60749-34:2004 ED1

Opprett abonnement

Fordeler med et abonnement:

IEC 60749-34:2010 ED2